Оперативная память Samsung способна обеспечить высокую производительность и стабильность в составе офисных или домашних систем. ОЗУ стандарта DDR5 отличается высокой пропускной способностью и помогает значительно ускорить обработку различных компьютерных запросов. Данный модуль обладает объемом 8 ГБ и тактовой частотой 4800 МГц. Встроенная ИС управления питанием и код коррекции ошибок гарантируют повышение стабильности в процессе эксплуатации оперативной памяти Samsung. Пониженное напряжение 1.1 В подчеркивает сниженное потребление энергии по сравнению с DDR4.

• Заводские данные
• Страна-производительВьетнам
• Общие параметры
• Типоперативная память
• МодельSamsung
• Код производителя[M323R1GB4BB0-CQK]
• Объем и состав комплекта
• Тип памятиDDR5
• Форм-фактор памятиDIMM
• Суммарный объем памяти всего комплекта8 ГБ
• Объем одного модуля памяти8 ГБ
• Количество модулей в комплекте1 шт
• Регистровая памятьнет
• ECC-памятьнет
• Ранговостьодноранговая
• Быстродействие
• Тактовая частота4800 МГц
• Профили AMD EXPOнет
• Профили Intel XMPнет
• Тайминги
• CAS Latency (CL)40
• RAS to CAS Delay (tRCD)40
• Row Precharge Delay (tRP)40
• Конструкция
• Наличие радиаторанет
• Подсветка элементов платынет
• Высота31.25 мм
• Низкопрофильная (Low Profile)нет
• Дополнительно
• Напряжение питания1.1 В