8-гигабайтная оперативная память Samsung [M323R1GB4DB0-CWM] предназначена для оснащения производительных офисных и домашних компьютеров универсального назначения. Устройство соответствует типу DDR5. Тактовая частота модуля высока – 5600 МГц. Производительность памяти достаточна для эффективной работы любого типового программного обеспечения. Устройство не поддерживает функции коррекции ошибок и буферизации. Память рассчитана на работу в составе настольных ПК: она не подходит для серверов. Оперативная память Samsung [M323R1GB4DB0-CWM] использует стандартное для DDR5 напряжение питания – 1.1 В. Устройство демонстрирует низкий уровень энергопотребления. Выделение тепла минимально. Модуль не имеет радиатора. Чипы памяти размещены с одной стороны устройства.

• Заводские данные
• Страна-производительКорея, Республика
• Общие параметры
• Типоперативная память
• МодельSamsung
• Код производителя[M323R1GB4DB0-CWM]
• Объем и состав комплекта
• Тип памятиDDR5
• Форм-фактор памятиDIMM
• Суммарный объем памяти всего комплекта8 ГБ
• Объем одного модуля памяти8 ГБ
• Количество модулей в комплекте1 шт
• Регистровая памятьнет
• ECC-памятьнет
• Ранговостьодноранговая
• Быстродействие
• Тактовая частота5600 МГц
• Профили AMD EXPOнет
• Профили Intel XMPнет
• Тайминги
• CAS Latency (CL)40
• Конструкция
• Наличие радиаторанет
• Подсветка элементов платынет
• Высота31.25 мм
• Низкопрофильная (Low Profile)нет
• Дополнительно
• Напряжение питания1.1 В