Твердотельный накопитель SiliconPower A55 имеет форм-фактор M.2 2280. Он отличается компактностью и отсутствием корпуса, что позволяет устанавливать его в малогабаритные и тонкие устройства, такие как ультрабуки, планшетные компьютеры и мини-ПК. Накопитель A55 M.2 2280 оснащен высококачественными синхронными чипами флэш-памяти NAND и поддерживает работу с интерфейсом SATA III (скорость передачи данных: 6 Гбит/с), что позволяет добиться впечатляющей скорости передачи данных при чтении и записи (до 560 и 530 МБ/с соответственно). Накопитель М55 может стать для Вас идеальным решением, если Вы хотите быстро обновить свой ПК для повседневной работы с приложениями и/или многозадачной работы. Использование «умной» технологии «SLC-кэш» позволяет еще больше повысить эффективность записи и добиться более высокой пиковой скорости. Использование технологии Intel Smart Response Technology (ISRT) позволяет обеспечить гибкость настройки и конфигурации, что повышает общую производительность и эффективность работы. Данная технология позволяет автоматически определить и сохранить наиболее часто используемые приложения на твердотельный накопитель, освобождая место на жестком диске. Теперь можно использовать сочетание твердотельного накопителя малой емкости и жесткого диска высокой емкости, чтобы обновить свой ПК. Бесплатная программа SP Toolbox позволяет с легкостью выполнять мониторинг состояния твердотельного накопителя. При помощи данной программы вы сможете выполнить тест производительности A55 M.2 2280, получить общую оценку функционирования устройства, а также изучить подробную информацию о вашем устройстве, в том числе данные об объеме занятого места, температуре, общем количестве записанных данных и многом другом.

• Заводские данные
• Страна-производительКитай
• Общие параметры
• ТипSSD M.2 накопитель
• МодельSiliconPower A55
• Код производителя[SP001TBSS3A55M28]
• Основные характеристики
• Объем накопителя1000 ГБ
• Форм-фактор2280
• Физический интерфейсSATA 3
• Ключ M.2 разъемаB & M
• NVMeнет
• Конфигурация накопителя
• Количество бит на ячейку3 бит TLC
• Структура памяти3D NAND
• Показатели скорости
• Максимальная скорость последовательного чтения560 Мбайт/сек
• Максимальная скорость последовательной записи530 Мбайт/сек
• Надежность
• Максимальный ресурс записи (TBW)500 ТБ
• DWPD0.46
• Дополнительная информация
• Радиатор в комплектенет
• Особенности, дополнительноMTBF (среднее время безотказной работы) до 1 500 000 часов
• Габариты
• Длина80 мм
• Ширина22 мм
• Толщина3.5 мм
• Вес8 г