В НАЛИЧИИ ТОВАРА НЕТ.
Все под заказ: 3-7 дней.

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН ТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ В ДОНЕЦКЕ

Товаров: (0 шт.) Цена: 0 руб.
  • +7(949) 341-63-54
  • +7(949) 341-63-55
  • +7(908) 190-25-00
  • vk.com/tehno_land
  • Без выходных
    8:00 - 21:00

Оперативная память SODIMM Patriot Signature Line [PSD48G266681S] 8 ГБ

Бренд: Patriot Memory
Артикул: 1350974
  • АБСОЛЮТНО весь товар находится на складе в России
  • В НАЛИЧИИ товара НЕТ, ВСЕ под заказ.
  • Срок доставки: 3-7 календарных дней
6 554 руб.
-
+

Оперативная память SODIMM Patriot Signature Line [PSD48G266681S] имеет объем 8 ГБ и обеспечит высокую производительность компьютера в самых разных задачах — будь то запуск игр, различных профессиональных приложений или работа в режиме многозадачности. Благодаря корпусу небольшого размера данный модуль может устанавливаться в ноутбуки, моноблоки, а также системные блоки компактного форм-фактора. Оперативная память SODIMM Patriot Signature Line [PSD48G266681S] относится к типу DDR4. Модуль работает на частоте 2666 МГц и отличается пропускной способностью PC21300, что вкупе с таймингами 19-19-19-43 обеспечивает высокую скорость обработки данных. Благодаря высококачественным компонентам, используемым в основе конструкции, данная модель отличается надежностью и высокой стабильностью работы. Энергопотребление оперативной памяти SODIMM Patriot Signature Line [PSD48G266681S] не превышает 1.2 В. Модель поставляется поштучно в пластиковом блистере. Для лучшей производительности системы рекомендуется устанавливать несколько одинаковых модулей памяти.

  • Заводские данные
  • Срок эксплуатации120 мес.
  • Страна-производительТайвань (Китай)
  • Общие параметры
  • Типоперативная память
  • МодельPatriot Signature Line
  • Код производителя[PSD48G2"81S]
  • Объем и состав комплекта
  • Тип памятиDDR4
  • Суммарный объем памяти всего комплекта8 ГБ
  • Объем одного модуля памяти8 ГБ
  • Количество модулей в комплекте1 шт
  • Быстродействие
  • Частота2" МГц
  • Тайминги
  • CAS Latency (CL)19
  • RAS to CAS Delay (tRCD)19
  • Row Precharge Delay (tRP)19
  • Activate to Precharge Delay (tRAS)43
  • Конструктивные особенности
  • Количество чипов модуля8
  • Двухсторонняя установка чиповесть
  • Дополнительная информация
  • Напряжение питания1.2 В