В НАЛИЧИИ ТОВАРА НЕТ.
Все под заказ: 3-7 дней.

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН ТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ В ДОНЕЦКЕ

Товаров: (0 шт.) Цена: 0 руб.
  • +7(949) 341-63-54
  • +7(949) 341-63-55
  • +7(908) 190-25-00
  • vk.com/tehno_land
  • Без выходных
    8:00 - 21:00

Оперативная память SODIMM Patriot Signature [PSD416G24002S] 16 ГБ

Бренд: Patriot Memory
Артикул: 1222454
  • АБСОЛЮТНО весь товар находится на складе в России
  • В НАЛИЧИИ товара НЕТ, ВСЕ под заказ.
  • Срок доставки: 3-7 календарных дней
4 374 руб.
-
+

Оперативная память SODIMM Patriot Signature [PSD416G24002S] 16 ГБ – важный компонент для использования в ноутбуке. Эта планка порадует высоким качеством изготовления и отличными характеристиками. При ее производстве применялось лучшее сырье и последние наработки компании. Оперативная память Patriot Signature [PSD416G24002S] 16 ГБ выполнена в компактном формате SODIMM. Она спроектирована именно для портативных устройств. Небольшие габариты модуля позволяют поставить его в различные ноутбуки. Подключение планки выполняется через слот на системной плате. Подаваемое на нее питание имеет напряжение 1.2 В. Объем памяти у модуля – 16 ГБ. Для большинства пользователей этого вполне достаточно. Можно работать с несколькими программами сразу, оценить многозадачность устройства. Частота планки – 2400 МГц. Такой параметр положительно сказывается на скорости работы системы, а переключение между задачами происходит молниеносно. Также процессор получает быструю оперативную память, можно лучше раскрыть потенциал ЦП. Тип модуля – DDR4. Он совместим с большим количеством ноутбуков. Но перед приобретением планки надо проверить, какая оперативная память поддерживается вашим устройством.

  • Заводские данные
  • Страна-производительТайвань (Китай)
  • Общие параметры
  • Типоперативная память
  • МодельPatriot Signature
  • Код производителя[PSD416G24002S]
  • Объем и состав комплекта
  • Тип памятиDDR4
  • Суммарный объем памяти всего комплекта16 ГБ
  • Объем одного модуля памяти16 ГБ
  • Количество модулей в комплекте1 шт
  • Быстродействие
  • Частота2400 МГц
  • Тайминги
  • CAS Latency (CL)17
  • RAS to CAS Delay (tRCD)17
  • Row Precharge Delay (tRP)17
  • Activate to Precharge Delay (tRAS)39
  • Конструктивные особенности
  • Количество чипов модуля16
  • Двухсторонняя установка чиповесть
  • Дополнительно
  • Напряжение питания1.2 В