Соответствующая типу DDR4 4-гигабайтная оперативная память SODIMM Silicon Power [SP004GBSFU266N02] ориентирована на функционирование в составе мобильных компьютеров начального и среднего уровня. Устройство может использоваться как для замены вышедшего из строя модуля ОЗУ, так и для модернизации ноутбука. Модуль также подходит для использования в составе многих миниатюрных стационарных ПК. Необходимым условием совместимости в этом случае является оснащение материнской платы слотами SODIMM DDR4. Оперативная память SODIMM Silicon Power [SP004GBSFU266N02] рассчитана на работу на частоте 2666 МГц. Также поддерживаются частоты 1600, 1866 и 2133 МГц. Пропускная способность памяти, составляющая 21300 МБ/с, достаточна для эффективной работы с любым типовым программным обеспечением. CAS-латентность модуля – 19. Напряжение питания устройства стандартно для DDR4 – 1.2 В. Модуль отличается низким энергопотреблением. Это свойство прежде всего актуально для ноутбуков.

• Заводские данные
• Страна-производительТайвань (Китай)
• Общие параметры
• Типоперативная память
• МодельSilicon Power
• Код производителя[SP004GBSFU266N02]
• Объем и состав комплекта
• Тип памятиDDR4
• Суммарный объем памяти всего комплекта4 ГБ
• Объем одного модуля памяти4 ГБ
• Количество модулей в комплекте1 шт
• Быстродействие
• Частота2" МГц
• Тайминги
• CAS Latency (CL)19
• Дополнительная информация
• Напряжение питания1.2 В